基板
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熱膨張率が低い材料
Low Temperature Co-fired Ceramicsの略で、低温焼成セラミックス基板は1000℃以下で焼成できるため内部導体として Ag、AgPd、Auの使用が可能であり、誘電率がアルミナ基板より低いので信号遅延も小さい。さらに熱膨張係数がシリコンに近いという特徴があり、 基板への直接ダイボンディングやフリップチップ(FC)接続が容易です。
Low Temperature Co-fired Ceramicsの略で、低温焼成セラミックス基板は1000℃以下で焼成できるため内部導体として Ag、AgPd、Auの使用が可能であり、誘電率がアルミナ基板より低いので信号遅延も小さい。さらに熱膨張係数がシリコンに近いという特徴があり、 基板への直接ダイボンディングやフリップチップ(FC)接続が容易です。